Институт физики полупроводников
Прикольные темы научных работ, мне бы отсыпали того чё там курят :))
http://www.isp.nsc.ru/newface/index.php?ACTION=part&id_main=15&lang=ru Новая двумерная электронно-дырочная система
Увеличение силы осциллятора межзонных переходов в системе вертикально совмещенных квантовых точек Ge в Si
Спиновое эхо электронов в ансамбле квантовых точек Ge в Si
Гигантское комбинационное рассеяние света квантовыми точками CdS
Электростатическое экранирование и фриделевские осцилляции в полупроводниковых нанотрубках
Эффекты экранирования и осцилляции Фриделя в наноструктурах с квантовыми ямами
Сверхпроводящее состояние экситонного диэлектрика
Наблюдение перехода в сверхдиэлектрическое состояние в критически разупорядоченных плёнках TiN
Гигантское изменение тока в пленках PbSnTe:In в магнитном поле
Электронная структура слоистых high-k титанатов Ln2Ti2O7 (Ln = La, Nd, Pr)
Особенности пластической релаксации пленок GeSi, выращенных на отклоненных подложках Si(001)
Начальные стадии роста напряженных SiGe структур с квантовыми точками методом МЛЭ
Исследование начальной стадии пластической релаксации в GeSi островках на Si(100)
Формирование плотных массивов наноструктур германия и кремния
Матричные фотоприемники 320×256 со встроенным отрезающим фильтром
Выращивание напряженных Ge-Si гетероструктур с высокоподвижным двумерным электронным и дырочным газом
Низкотемпературное приготовление Ga-стабилизированной поверхности GaAs(001) обработкой в атомарном водороде
Низкотемпературный синтез наностержней гексагонального оксида молибдена h-MoO3
Кремний-на-изоляторе нанопроволочные транзисторы для медицинских биосенсоров
Кристаллизация тонких пленок аморфного кремния на нетугоплавких подложках с применением фемтосекундных лазерных импульсов
Наблюдение диполь-дипольного взаимодействия холодных ридберговских атомов
Кинетика отражения в области экситонных переходов в полупроводниковых наноструктурах
Оптическая бистабильность в системе металлических наночастиц
Исследование тонких пленок Ga2O3-In2O3 для газовых микросенсоров
Применение моделирования электронно-микроскопических изображений для идентификации прорастающих дислокаций в гетеросистеме GeSi-Si(001)
Полупроводниковый микрорезонатор на длины волн 0.96 мкм и 1.3 мкм
Семейство алгоритмов организации функционирования распределённых вычислительных систем в мультипрограммных режимах
- участник сейчас на форуме
- участник вне форума